Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии
Авторы:
Аннотация:
В работе выполнено численное моделирование туннельного эффекта в системе n-GaN на кремнии Si p-типа проводимости. Получены вариации зонных диаграмм, вольтамперных характеристик и частот отсечки соответствующих диодных гетероструктур в зависимости от уровней легирования GaN и Si. Установлены значения концентраций легирующей примеси для реализации режимов обращенного и туннельного диодов. В режиме туннельного диода наибольшая плотность туннельного тока и предельная частота генерации составили 24,6 кА/см2 и 17 ГГц, соответственно.