Трансформация структуры тонких металлических пленок при активировании их способности к низковольтной эмиссии электронов

Настоящая работа является продолжением исследований свойств низкопороговой автоэлектронной эмиссии из тонких (6 – 10 нм) пленок металлов Mo и Zr, сформированных на плоских подложках Si. Теперь изучались изменения морфологии пленок, вызываемые термополевым активированием и отбором эмиссионного тока. Основным экспериментальным методом была электронная микроскопия. Выдвинута гипотеза, что механизм указанных воздействий можно описать как твердотельный деветтинг (агломерация) покрытия, подвергнутого ионной бомбардировке. Для ее проверки средствами пакета SRIM проведено численное моделирование воздействия ионов на структуру Mo-пленка – Si-подложка, а также поставлен эксперимент с использованием ионного имплантера HVEE-500.