Температурная характеризация соединительных туннельных диодов GaAs/AlGaAs

В температурном диапазоне 100 – 400 K исследованы вольтамперные характеристики двух типов структур соединительных туннельных диодов (ТД) n++-GaAs-(δSi)/i-(GaAs/Al0,2Ga0,8As)/p++-Al0,2Ga0,8As-(δBe), отличающихся температурой роста и толщинами эпитаксиальных слоев. Определены температурные зависимости основных параметров ТД: пикового значения плотности туннельного тока Jp, плотности тока долины Jv и дифференциального сопротивления Rd. Образцы ТД структуры А, выращенной при температуре 500 °С, обеспечивают в диапазоне 100 – 400 K наибольшие значения пикового тока Jp ≤ 220 A/см2 при температурной стабильности величины около 93 %. ТД структуры В, выращенные при температуре 450 °С, показали меньшие значения плотности пикового туннельного тока: Jp ≤ 150 А/см2, с существенной линейной температурной зависимостью. Полученные результаты могут быть использованы при разработке и создании монолитных многопереходных фотопреобразователей мощного лазерного излучения.