Эмиссионные, оптические и электрофизические свойства нанопленок GaInP/GaP

С целью поиска материала с улучшенными полупроводниковыми свойствами были изготовлены тонкие пленки GaInP на поверхности GaP (использованы методы молекулярно-лучевой эпитаксии и ионной имплантации). Эти пленки были изучены методами оже-электронной спектроскопии, ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии, а также оптической спектроскопии поглощения света. Были также получены энергетические и угловые зависимости коэффициентов вторичной электронной эмиссии. Анализ полученных экспериментальных данных позволил впервые определить основные параметры энергетических зон и эмиссионные параметры нанопленки Ga0,6In0,4P/GaP (111). Установлено, что ширина запрещенной зоны пленки равна 1,85 эВ, что существенно меньше, чем таковая у подложки GaP; следовательно, максимальное значение коэффициента вторичной электронной эмиссии σmax и квантовый выход фотоэлектронов K (при hν = 10,8 эВ) системы Ga0,6In0,4P/GaP немного уменьшаются относительно чистого GaP.