Многоуровневое резистивное переключение в forming-free нанокристаллических пленках ZnO для нейроморфных приложений

Мы экспериментально исследовали многоуровневое резистивное переключение в forming-free нанокристаллических пленках ZnO. Было показано, что потенцирование и депрессия при 0,5 В и -0,5 В в течение 3000 циклов привели к увеличению сопротивления пленки на 3 порядка. Также было показано, что пленки ZnO успешно имитируют биологическую память путем увеличения числа импульсов стимуляции. Фиксация амплитуды обучающих импульсов позволяет достичь различных резистивных состояний, таких как уровни синаптического веса биологического мозга. Полученные результаты могут быть использованы для изготовления элементов ReRAM нейроморфных систем искусственного интеллекта на основе forming-free нанокристаллических пленок ZnO.