Численное моделирование распределения температурного поля в зоне роста графена, выращиваемого на SiC подложках
Авторы:
Аннотация:
В данной работе представлен подход к оптимизации роста графена на подложках карбида кремния (SiC) с использованием методов численного моделирования. Представленные модели в осесимметричном приближении показывают хорошую сходимость с экспериментальными результатами и позволяют проводить исследование температурных полей внутри закрытых ячеек. Сделан вывод о перспективности применения численных методов расчета для оптимизации конструкции технологической установки роста графена методом сублимации поверхности SiC.