Электрические характеристики пленок нанокристаллов перовскита галогенидов свинца CsPbI3 и CsPbBr3, нанесенных на Si-с солнечные элементы для высокоэффективной фотовольтаики

Высокая производительность гибридных солнечных элементов на основе наночастиц для улучшения оптических и электрических характеристик является предметом многих текущих исследований. Для этого по результатам предыдущей работы использованы наночастицы перовскита CsPbI₃ и CsPbBr₃, их оптические свойства обеспечили хорошее взаимодействие с кристаллическим кремнием (Si-c), коэффициент поглощения (α) становится значительно выше в разных диапазонах, что увеличивает генерацию фототока в диапазоне 370-900нм. Фактор деградации быстро снижает эффективность, и для конкретных результатов требуется развитое оборудование. CsPbI₃ показал текстурированную поверхность, в то время как поверхность CsPbBr₃ является гладкой, в соответствии с этим стало возможным лучшее измерение содержания йода.