Анализ локальных областей полупроводниковых нанообъектов методом туннельной атомно-силовой микроскопии

Рассмотрены основные особенности измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) методами проводящей атомно-силовой микроскопии (АСМ) в локальных областях полупроводниковых нанообъектов. Стандартная методика регистрации ВАХ нередко приводит к возникновению термомеханических напряжений в структуре материала и, как следствие, к невоспроизводимости результатов измерений. Разработана методика, включающая получение серии АСМ-изображений измерения тока по выделенной поверхности при разных фиксированных значениях потенциала зонда и последующий пересчет данных в виде ВАХ для любой точки на анализируемой поверхности. Программа реализована в среде LabVIEW. Предложенная методика расширяет возможности сканирующей зондовой микроскопии при диагностике наноструктурированных полупроводниковых материалов.