Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

Описаны результаты МД-моделирования бомбардировки открытой поверхности (0001) GaN ускоренными атомарными (F, P, Ag) и молекулярными (PF[2], PF[4]) ионами с энергией 50 эВ/а.е.м. Обнаружена сильная внутрикаскадная рекомбинация образующихся точечных дефектов, а их распределения после термализации каскадов смещений сильно сдвинуты к поверхности. Оба факта хорошо согласуются с экспериментальными данными по накоплению структурных нарушений в GaN. Обнаружена также повышенная, по сравнению с приближением парных столкновений, генерация простейших точечных дефектов тяжелыми ионами Ag и молекулами PF[4], причем для последних указанный эффект наблюдается только вблизи поверхности.