Внешний квантовый выход фотоответа каскадных солнечных элементов

Рассмотрены теоретические подходы, позволяющие получить аналитические выражения для расчета спектральных зависимостей внешнего квантового выхода каскадных солнечных элементов, рассчитаны спектральные характеристики однопереходных (Ge), двухпереходных (GalnP/GaAs) и трехпереходных (GalnP/GaAs/Ge) солнечных элементов. Показана принципиальная возможность применения данных подходов для определения диффузионных длин в активных слоях фотопреобразователей путем сравнения экспериментальных и расчетных спектральных характеристик. Установлены значения диффузионных длин для слоев трехпереходного элемента, обеспечивающие собирание, близкое к полному.