Влияние электрического поля и температуры на эмиссию фотовозбужденных носителей из квантовых точек арсенида индия в матрицу арсенида галлия
Авторы:
Аннотация:
Рассмотрены основные механизмы эмиссии в гетеронаноструктурах InAs/GaAs с квантовыми точками в зависимости от температуры и напряженности электрического поля. Сравнение экспериментальных результатов с теорией показало их хорошее согласие.