Стрельчук Анатолий Маркович
  • Место работы
    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация

Вольт-амперные характеристики Cr/SiC(4H) диодов Шоттки

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 16
  • 2491
  • Страницы: 83-89

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: