Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 0
- 8937
- Страницы: 49-55