Влияние самокомпенсации полупроводника на неоднородности эффективного барьера Шоттки в контактах на основе III-нитридов

В работе исследуются контактные структуры с барьером Шоттки на основе III-нитридов. С использованием представления о дискретном распределении заряда электроактивных дефектов в области обеднения полупроводника анализируются неоднородности высоты барьера Шоттки с учетом сил зеркального изображения. Определены характерные величины и масштабы изменения эффективного барьера в контакте, обусловленные флуктуациями электрических полей заряженных атомов примеси и прорастающих дислокаций несоответствия. Показано, что при сильной компенсации полупроводника вследствие захвата носителей на дислокационные состояния (эффект самокомпенсации), средние значения неоднородности высоты эффективного барьера Шоттки достигают величины порядка 100 мэВ. Продемонстрирована возможность минимизации исследуемых неоднородностей путем выбора уровня легирования полупроводника.