Происхождение латерального фотовольтаического эффекта в многослойной структуре SiO2/TeO2/Bi2Te3/n-Si (111)

В работе представлено исследование латерального фотовольтаического эффекта в многослойной структуре SiO₂/TeO₂/Bi₂Te₃/n-Si (111). Спектральные зависимости фоточувствительности идентифицируют локализацию процесса фотогенерации в области пространственного заряда кремниевой подложки при толщине слоя теллурида висмута 5 нм и более и в слое Bi₂Te₃ при его толщине менее 5 нм. Установлено, что латеральная фоточувствительность может служить индикатором процесса естественного окисления защитного прозрачного покрытия. Мы определили, что исследуемая структура демонстрирует многообещающие результаты в качестве фотовольтаической ячейки при толщине слоя Bi₂Te₃ 5 нм и параметрах освещения λ = 730−830 нм и W = 0,8 мВт.