Рост пленок Ca5Si3 методом МЛЭ на подложке Si (111): структура и оптические свойства

В данной работе на пленках силицида кальция, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке Si (111) при температуре 500 °C с соотношениями потоков осаждения NCa: NSi = 3,49, 3,98, обнаружено образование эпитаксиальной пленки Ca₅Si₃ толщиной до 40 нм, что подтверждено методом рентгеновской дифракции. Впервые в спектрах отражения и комбинационного рассеяния пленки Ca5Si3 обнаружены пики отражения в области межзонных переходов при 2,2, 2,75, 3,57 и 4,4 эВ, полуметаллический характер отражения при энергиях менее 0,5 эВ, частичное пропускание при 0,4−1,25 эВ и уникальная фононная структура с КРС сдвигами при 102, 110, 124, 160, 190, 220, 241, 344 и 379 см^-1.