Определение длины сверхструктуры 2xN при синтезе Ge на Si (001) при разных температурах

Статья посвящена исследованию длины сверхструктуры 2xN при эпитаксиальном росте Ge на Si (001) при разных температурах синтеза в диапазоне от 200 °C до 750 °C. Анализ происходил в процессе роста методом дифракции быстрых электронов в направлении [110]. Работа позволяет дать оценку эффективности снятия упругих напряжений за счет образования сверхструктуры 2xN на начальных стадиях роста в широком температурном диапазоне.