Моделирование распространения света в волноводах, связанных с гексагональными микрополостями, сформированными в фотонном кристалле на основе GaAs

В данной работе представлены результаты численного моделирования взаимодействия света с веществом в фотонном кристалле (ФК) на основе GaAs. Исследование посвящено связанным конфигурациям волноводов и гексагональных микрополостей, функционирующих на длине волны 1,3 мкм. Проводится систематическое исследование влияния диаметра микрополости, ее расстояния от волновода и конфигурации дефекта на распределение напряженности электрического поля в пределах структуры ФК. Показано, что расстояние в 2 ряда между волноводом и полостью с диаметром 1,65 мкм позволяет достичь максимальной напряженности электрического поля в пределах полости. Внедрение дефекта в волновод приводит к дальнейшему увеличению напряженности электрического поля в полости при оптимальном радиусе 209 нм.