Оптические исследования меза-структур на основе квантовых ям InGaAs/GaAs с золь-гель пассивацией SiO2

Физическая оптика
Авторы:
Мельниченко И.А. Шугабаев Т. Гридчин В.О. Крыжановская Н.В. Балакирев С.В. Солодовник М.С. Жуков А.Е.
Аннотация:

Продемонстрировано значительное увеличение интенсивности фотолюминесценции для пассивированных SiO2 методом золь-гель меза-структур с квантовой ямой InGaAs/GaAs. Наблюдалось усиление сигнала фотолюминесценции до 50 раз для мез диаметром 1,25 мкм после пассивации. Полученные результаты перспективны для использования в микролазерах с активной областью на основе квантовых ям InGaAs.