Измерение толщины барьерного слоя в гетероструктурах AlGaN/GaN методом спектроскопии оптического отражения: сравнение с рентгеновской рефлектометрией

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Авторы:
Артеев Д.С. Сахаров А.В. Николаев А.Е. Заварин Е.Е. Филимонов А.В. Цацульников А.Ф.
Аннотация:

В данной работе исследуется возможность применения спектроскопии оптического отражения в качестве быстрой и недорогой альтернативы методу рентгеновской рефлектометрии (XRR) для измерения толщины барьерного слоя Al-GaN в AlGaN/GaN гетероструктурах. Результаты, полученные двумя методами, хорошо согласуются друг с другом; отклонения не превышают 1 нм. Полученные данные демонстрируют, что спектроскопия оптического отражения может рассматриваться как практичный и надежный метод для регулярного контроля гетероструктур на основе GaN.