Фотолюминесценция короткопериодных сверхрешеток InGaAs/InAlAs, выращенных на InP подложке

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Войтович В.И. Махов И.С. Андрюшкин В.В. Копытов П.Е. Папылев Д.С. Крыжановская Н.В. Жуков А.Е.
Аннотация:

Исследованы спектры фотолюминесценции короткопериодных
сверхрешеток InGaAs/InAlAs в широком диапазоне мощностей накачки при температурах
5−300 К. Спектры фотолюминесценции при 5 К состояли из полос люминесценции,
связанных с излучательной рекомбинацией электронов и дырок в сверхрешетках,
а также в подложке и буферных слоях гетероструктур. Спектральные положения полос
излучения сверхрешеток хорошо согласуются с расчетными значениями.