Электрические характеристики полупроводниковых пленочных структур, полученных на гибкой подложке

В рамках данной работы были исследованы вольт-амперные характеристики тонких пленок поликристаллического кремния на гибкой полимерной подложке, измеренные при изгибе пленки как в режиме растяжения,  так и в режиме сжатия. Образцы были изготовлены методом лазерно-стимулированной металл-индуцированной кристаллизации аморфных пленок Si, нанесенных методом магнетронного распыления на гибкую  полиимидную пленку. Установлено, что сопротивление пленки поликристаллического кремния зависит от степени и вида деформации. Изменение электрического сопротивления может быть связано с увеличением и  уменьшением межзеренного расстояния при растяжении и сжатии пленки, соответственно. Полученные пленки перспективны для изготовления полупроводниковых тензодатчиков и активных элементов гибкой  электроники.