Оптимизация конструкции экранирующих электродов для повышения напряжения пробоя GaN HEMT
Авторы:
Аннотация:
В данной статье представлены результаты моделирования гетероструктуры нормально закрытого n-канального транзистора с различными конструкциями экранирующих электродов. Использование экранирующих электродов позволяет эффективно управлять распределением поля в канале и повышает напряжение пробоя. С помощью исследования вольт-амперных характеристик, характера распределения электрического поля и концентрации основных носителей заряда в канале были определены оптимальные конструкционные параметры экранирующих электродов.