Особенности конструкции гетероструктур для мощных лазерных диодов спектрального диапазона 975 нм

С целью достижения высокой выходной мощности излучения и КПД лазерных диодов спектрального диапазона 970–980 нм проведена оптимизация конструкции гетероструктуры. При оптимизации исследовано  влияние геометрических параметров слоев активной области, а также легирования волноводных слоев гетероструктуры на выходные электрооптические характеристики чипов ЛД. Проведенная оптимизация позволила достичь рабочую выходную мощность излучения лазерных диодов 11,6 Вт при токе 12 А. Максимальный КПД при этом составил 65%, при токе накачки лазера 5 А.