Вольтамперные характеристики перовскитных пленок MaPbI3 , сформированных одностадийным методом центрифугирования

В работе исследованы свойства пленок MaPbI3, изготовленных с применением осадителя либо без него. Образцы обладали планарной геометрией на основе керамических подложек со встречно-штыревыми золотыми электродами, а также на основе стеклянных подложек. Образцы облучали зеленым светом от светодиодного источника, а для измерения вольтамперных характеристик использовали специальную установку. Поликристаллические пленки продемонстрировали высокую фоточувствительность (увеличение тока примерно на 2 порядка при облучении). Ширина их оптической запрещенной зоны была одинаковой вне зависимости от использования осадителя, однако предельные напряжения заполнения ловушек оказались весьма чувствительными к такому использованию. По данным оптической микроскопии, для микроструктуры пленки характерно образование крупных дендритных структур, т. е. при ее изготовлении происходило зародышеобразование в толще раствора. Этот механизм может быть удобным для использования пленок MaPbI3 в фотодетекторах.