Определение параметров многопереходных солнечных элементов, подвергнутых радиационному облучению
Авторы:
Аннотация:
В работе исследуются фотоэлектрические характеристики трехпереходных фотопреобразователей. На основе электролюминесцентного метода и двух-диодной эквивалентной модели солнечного элемента получены вольтамперные характеристики широкозонных субэлементов в структуре с соответствующими параметрами темновых токов насыщения. Дополнительно метод опробован на образцах, подверженных различным дозам облучения, что позволило определить темпы деградации параметров фотоэлектрических характеристик солнечных элементов.