Диэлектрическая спектроскопия перфторсульфоновых мембран в протоно- и тербиевозамещенных формах

Представленное исследование ставило целью выявить механизмы электрической проводимости перфторсульфоновой мембраны (МФ-4СК) в протонозамещенной форме (H-форма) и влияние ионов тербия, модифицирующих данную матрицу (Tb-форма), на эти механизмы. Проведены измерения частотных зависимостей комплексной диэлектрической проницаемости при температуре 293 K и ее температурных зависимостей на частоте 1 кГц для образцов обеих форм. Выявлен рост величины ε' при уменьшении частоты и повышении температуры. Обнаружены максимумы фактора диэлектрических потерь ε'' в слоях исследуемых систем при различных температурах. Полученные экспериментальные данные позволили предположить существование распределения по временам релаксации релаксаторов. Для модифицированной и немодифицированной мембран был обнаружен и интерпретирован переход от классического переноса заряда к квантовомеханическому.