Измерение внутреннего квантового выхода излучения в локальных областях кристалла светодиода

Представлен способ измерений внутреннего квантового выхода излучения в локальных областях кристалла светодиода. Способ основан на измерении цифровой КМОП камерой профилей распределения яркости  излучения и граничных частот электролюминесценции светодиода при двух малых значениях тока и расчете внутреннего квантового выхода для каждого пикселя изображений по формуле, полученной в соответствии с  ABC моделью рекомбинации носителей заряда в гетероструктуре. Способ измерений апробирован на примере коммерческих синих InGaN гетероструктурных светодиодах. Показано, что степень однородности профиля распределения внутреннего квантового выхода существенно выше, чем степень однородности профиля распределения яркости излучения, что обусловлено неоднородностью распределения коэффициента вывода излучения по площади кристалла светодиода. Представленный способ измерений может быть использован для диагностики дефектов локальных областей гетероструктуры светодиода.