Гигантский латеральный фотовольтаический эффект в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si

В данной работе проведено исследование латерального фотовольтаического эффекта в структуре TiO2/SiO2/p-Si. Установлено, что гигантский латеральный фотоэффект наблюдался в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si вследствие формирования в ней на границе раздела SiO2/p-Si высокого встроенного барьера. Максимальная чувствительность ЛФЭ ~600 мВ/мм наблюдается в структуре TiO2/SiO2/p-Si при толщине пленки TiO2, осажденной в течение 45 мин. Однако, нелинейность ЛФЭ в этой структуре слишком велика для практических применений. Уменьшение нелинейности достигается регулированием толщины пленки TiO2. Обнаружено, что характеристиками пригодными для оптоэлектронных устройств обладает структура, полученная при осаждении пленки TiO2 в течение 50 мин, в которой чувствительность и нелинейность ЛФЭ составляют 477 мВ/мм и 9%, соответственно. Причиной значительных величин времени нарастания и спада при импульсном освещении являются импедансные характеристики структуры TiO2/SiO2/p-Si в области контактов.