Анализ причин аномального повышения емкости пленок фуллерита С60 на низких частотах

Известный экспериментальный факт аномального возрастания диэлектрической проницаемости ε пленок фуллерита C60 на низких частотах (ниже 1 кГц) переменного электрического тока не имеет до настоящего времени убедительного объяснения. Данное исследование было нацелено на выяснение причин указанной аномалии. Была изготовлена структура p-Si/C60/эвтектика InGa и измерена частотная зависимость ее емкости. На основании полученных экспериментальных данных проведен многосторонний анализ явления. Показано, что возможной причиной аномального повышения ε в низкочастотной области является интеркаляция фуллерита молекулами кислорода с образованием молекулярных групп C60/О2, обладающих значительным дипольным моментом. Наличие таких групп вызывает кардинальное различие между значениями диэлектрической проницаемости поверхностных областей кристаллитов и таковой для области их объема, что, в свою очередь, приводит к кажущемуся подъему диэлектрической проницаемости исследуемой структуры.