Вклад процессов внутренней ионизации полупроводников в тормозные потери энергии релятивистских электронов

Выполнен анализ массовых тормозных потерь энергии (ТПЭ) релятивистских электронов в различных материалах, используемых в полупроводниковой электронике. Особое внимание уделено учету процессов «внутренней» ионизации, приводящей к образованию электронно-дырочных пар в полупроводниках и диэлектриках. Показано, что только при таком учете удается непротиворечиво объяснить экспериментально наблюдаемые значения массовых ТПЭ. Проведенный в работе анализ позволит выполнить более детальное прогнозирование работоспособности полупроводниковых приборов в реальных, в частности, космических, условиях.