Влияние естественных неоднородностей на приповерхностное рассеяние электронов

Рассмотрено рассеяние электронов малых и промежуточных энергий в приповерхностной области полупроводникового кристалла с учетом естественных неоднородностей потенциала вблизи поверхности. Проведены оценки влияния таких неоднородностей на угловые зависимости и энергетические спектры различных групп электронов, выходящих из кристалла. Ориентационные и резонансные зависимости оказываются наиболее чувствительными к неоднородностям поверхностного потенциала. Эксперименты с поляризованными электронами повышают чувствительность метода. Показано, что предложенную методику можно использовать для получения информации, связанной как с процессами приповерхностного рассеяния, так и с характеристиками кристалла.