Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца
Авторы:
Аннотация:
Исследован фотомагнитный эффект в эпитаксиальных гетеронаноструктурах с квантовой ямой InGaAs/ GaAs и дельта-слоем марганца. Показано, что спектральная и температурная зависимости ФМЭ в этих структурах согласуются с теорией, учитывающей влияние поверхностного барьера на диффузию и дрейф неравновесных носителей.