Мемристорный эффект в гидротермальных структурах ZnO

В данной работе исследуются мемристорные свойства микропризм ZnO, синтезированных гидротермальным методом. ZnO является перспективным материалом для создания энергоэффективных элементов памяти благодаря своей совместимости с КМОП-технологиями, низкой стоимости и хорошей масштабируемости. В ходе исследования получены гексагональные микропризмы ZnO диаметром ~10 мкм и толщиной ~2 мкм. Исследование вольт-амперных характеристик выявило униполярный мемристорный эффект с переключением между состояниями с высоким (HRS) и низким (LRS) сопротивлением при подаче как положительного, так и отрицательного напряжения. Коэффициент переключения I_ON/I_OFF составил 10² для прямого смещения
и 10⁴ для обратного смещения. Полученные результаты демонстрируют потенциал микроструктур ZnO для применения в энергонезависимой памяти с низким энергопотреблением.