В работе рассматривается поведение дырочного кубита в гетероструктуре Si/Ge/Si. С этой целью проведено квантовомеханическое исследование с применением теории функционала плотности и метода псевдопотенциала. Для элементарной структуры были построены зонная структура и график плотности электронных состояний. Установлено, что основная часть этих состояний локализована в диапазоне энергий от –2 до –4 эВ. Для построенной суперъячейки была рассчитана работа выхода и выполнена оценка вклада электронной дырки в электростатический потенциал системы. Анализ полученных результатов показал, что изменение работы выхода в системе связано со смещением уровня энергетического вакуума.