Особенности распределения локального электромагнитного поля в щелевых волноводах на основе не-ван-дер-Ваальсовых тонких слоев InGaS3
Тонкие слои InGaS3 являются перспективными наноструктурами в области нанофотоники благодаря широкому диапазону прозрачности, высокому показателю преломления и простоте фабрикации. В данной работе численно исследовалась наноструктура на основе волноводов InGaS3, расположенных рядом друг с другом. Была продемонстрирована высокая локализация электромагнитного поля внутри зазора между двумя волноводами и получены значения показателей преломления и оптических потерь для мод щелевого волновода на длине волны 505 нм. Получены спектры пропускания рассматриваемых конфигураций волнводов с различными геометрическими параметрами. Определена волноводная отсечка, связанная с поглощением внутри материала и делокализацией электромагнитного поля. Полученные результаты открывают возможность создания новых фотонных устройств на основе тонких слоев InGaS3.