Влияние оптической обратной связи на форму оптических импульсов полупроводникового лазера

Полупроводниковые лазеры в режиме усиления способны излучать импульсы со случайной относительной фазой, что делает их надежным источником энтропии для квантового распределения ключа и генерации  случайности. Тем не менее, полупроводниковые лазеры уязвимы перед влиянием оптической обратной связи – явления, характеризуемого инжекции определенной доли лазерного излучения обратно в полость  лазерного диода. Хотя оптическая обратная связь может быть использована для подавления релаксационных колебаний и чирпа, она может иметь серьезный негативный эффект на лазерные импульсы. В этой  работе мы изучаем влияние оптической обратной связи на форму импульса лазера в режиме переключения усиления.