Влияние низкоэнергетической электронной бомбардировки на состав и структуру поверхности фосфида галлия

В работе изучены закономерности изменения состава и структуры поверхностных слоев GaP (111) при бомбардировке электронами c энергиями Е_е = 3 – 10 кэВ и дозами D = 10¹⁷ – 10²⁰ cм^–2. Для этого использован метод оже-электронной спектроскопии и регистрация угловой зависимости коэффициента неупругого отражения электронов. Установлено, что при Е_е = 3 кэВ поверхностные слои GaP обогащаются атомами P, а случае Е₀ = 10 кэВ – атомами Ga. В обоих случаях профили распределения атомов Ga по глубине образца имеют немонотонный характер. Оценено значение энергии электронов, при котором происходит инверсия состава поверхности. Дан анализ полученных результатов.