Лазерно-индуцированное формирование поверхностных периодических структур и обратимая кристаллизация в аморфных тонких пленках Ge2Sb2Te5 как результат фемтосекундного облучения

Физическое материаловедение
Авторы:
Колчин Александр Валерьевич Заботнов Станислав Васильевич Шулейко Дмитрий Валерьевич Преснов Денис Евгеньевич Федянина Мария Евгеньевна Кузьмин Евгений Викторович Кашкаров Павел Константинович
Аннотация:

Фемтосекундное лазерное структурирование открывает для халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5 новые перспективы использования в приложениях фотоники благодаря широкому изменению его структурных и оптических свойств при такой обработке. Нами исследована лазерно-индуцированная модификация тонких аморфных пленок Ge2Sb2Te5 на кремниевых подложках. Исследования показывают, что периодическое формирование рельефа сопровождается фазовыми переходами в ГЦК-кристаллическую фазу и обратно. Кроме того, облученные образцы Ge2Sb2Te5 демонстрируют оптическую прозрачность в ближней инфракрасной области. Рассмотренные структуры представляют интерес для дальнейших исследований в качестве основы новых запоминающих устройств, которые могут обладать оптической анизотропией и быть интегрированы в волоконно-оптические приложения.