Метод конечных разностей высокого порядка и его использование для исследования кластеров ковалентных кристаллов

Предложенная ранее методика учета граничных условий для кластеров кристаллов со значительной ковалентной составляющей химической связи реализована на основе метода конечных разностей высокого порядка. В кластерном приближении исследуются особенности электронной структуры и геометрического строения регулярных кристаллов (GaAs, Si), а также соответствующих примесных центров замещения (GaAs:Si, Si:P, Si:S). Рассматривается стабильность дефекта и характер его возможной реконструкции, а также влияние изменения заряда центра на его устойчивость. Получено достаточно хорошее соответствие с результатами эксперимента и кристаллического подхода (метод расширенной ячейки).