Фотонно-электронная ИС субтерагерцового I/Q смесителя на основе GaAs-на-Si

Физическая электроника
Авторы:
Беликов И.И. Рожкова П.В. Приходько А.Н. Гольцман Г.Н. Шураков А.С.
Аннотация:

В данной работе предлагается фотонно-электронная интегральная схема I/Q смесителя для частоты 140 ГГц на основе GaAs-на-Si. Потери преобразования в смесителе ограничены встроенной сетью распределения мощности, которая обеспечивает вносимые потери сигналов гетеродина и несущей на уровне 7−8 дБ при потерях на отражение до 28 дБ. Предлагаемая интегральная схема рассчитана на работу в диапазоне 140−150 ГГц, но ее можно масштабировать для несущих частот 280−300 ГГц и даже выше.