Радиационная стойкость биполярного транзистора n-p-n типа для стабилизаторов напряжения

Для биполярного транзистора n-p-n типа для стабилизатора напряжения были установлены характеристики (ток коллектора, ток базы, коэффициент усиления по току) в зависимости от суммарной поглощенной дозы ионизирующего излучения с использованием спроектированного рентгеновского исследовательского комплекса. Получены функциональные зависимости и модель коэффициента усиления по току в зависимости от суммарной поглощенной дозы.