Поверхностно освещаемые высокотемпературные фотодиоды на основе гетероструктур n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP

Представлены результаты разработки и исследования фотодиодов на основе гетероструктуры n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP в интервале температур 125 — 500 К. Обсуждаются конструктивные особенности эпитаксиальной структуры и чипа фотоприемника, которые обеспечили значения токовой чувствительности и обнаружительной способности S_i = 1.6 А/Вт и D* = 1.5∙10¹⁰ см∙Гц^½∙Вт^-1 при комнатной температуре и S_i > 0,1 А/Вт при Т = 500 К.