Механизм переключения сопротивления в нефиламентном запоминающим устройстве из металлогалогенидного перовскита
В данной работе представлено комплексное исследование модуляции барьера Шоттки в перовските CsPbBr3, где уделяется особое внимание роли ионов как носителей заряда. Здесь наблюдается выраженное гистерезисное поведение вольт-амперных характеристик (ВАХ) для мемристоров с конфигурацией металл-перовскит-металл, где слой перовскита толщиной 100 нм расположен между химически инертными контактами Шоттки. Природа этих контактов позволяет накапливать подвижные ионы на границе контакт-перовскит без инжекции вторичных ионов, тем самым предотвращая образование проводящих нитей. Реализуя одномерную модель дрейфа-диффузии, удалось провести моделирование эволюции смешанных ионно-электронных носителей заряда во время измерений ВАХ. Результаты показали, что резистивное переключение состояний в основном зависит от накопления ионов на границе перовскит — контакт, что эффективно модулирует барьер Шоттки и увеличивает вероятность туннелирования носителей. Полученный результат подчеркивает значимость поляризованных накопленных ионов для более точной интерпретации экспериментальных характеристик перовскитных мемристоров.