Электронный негативный резист AR-N 7520 в процессах формирования фотонных структур

Физическое материаловедение
Авторы:
Рогожин Александр Е. Татаринцев Андрей А. Фетисенкова Ксения Алексеевна Мельников Александр Е. Мяконьких Андрей В.
Аннотация:

Проведено исследование селективности плазмохимического травления кремния Si по отношению к маске из негативного электронного резиста AR-N7520 в зависимости от доли SF6 плазмообразующей смеси SF6/ C4F8 и напряжения смещения. В оптимизированном процессе была получена высокая селективность травления 8.0 ± 1,8. Получено оптимальное значение дозы экспонирования для резиста AR-N 7520–8200 пКл/см.