Лазерно-индуцированное переключение фазового состояния пленок GST с помощью пространственного модулятора света

Перспективными материалами, позволяющих реализовать перестраиваемый оптический отклик в фотонных устройствах, является класс халькогенидных оптических материалов c фазовой памятью (МФП), таких как  GeSbTe (GST). Эти материалы стабильны при нормальных условиях, при этом обладают высокой скоростью переключения (нс-) и заметным оптическим контрастом, который может быть индуцирован лазерным  излучением. В данной работе мы исследуем метод лазерно-индуцированного переключения фазового состояния пленок GST с помощью пространственного модулятора света. Этот подход позволяет быстро  модифицировать большие участки материала, без механического сканирования образца или объектива.