Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

В данной работе были изготовлены ультрафиолетовые фотодетекторы типа металл-полупроводник-металл с полупрозрачными Ni/Au встречно-штыревыми электродами на основе гетероструктуры GaN/i-GaN/c-Al₂O₃. Исследованы их вольтамперные характеристики, быстродействие и спектральные характеристики. Было обнаружено, что устройства имеют максимальную чувствительность на длине волны 364 нм с полной шириной  на уровне половины высоты 11 нм, таким образом, представленные ФД являются узкополосными.