Исследование дефектов в профилированных кристаллах сапфира методом фазово-контрастного изображения в синхротронном излучении

Способом Степанова выращивают изделия из сапфира (α-Al₂O₃) контролируемых размеров и формы. Исследование дефектов в профилированном сапфире проводилось путем совместного использования методов фазово-контрастного изображения и топографии в синхротронном излучении. Взаимодополняющий характер методов, состоящий в том, что метод фазового контраста выявляет размер газового включения, а топограмма показывает дислокации решетки, позволил охарактеризовать концентраторы напряжений и провести анализ типов дислокаций. Таким образом, нами решена задача определения размеров газовых микровключений и выявлена их роль в формировании дислокационных ансамблей.