ПЭМ-исследование дефектной структуры пленок α-Ga2O3, выращенных методом хлоридной эпитаксии

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Аннотация:

Методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) исследованы призматические дефекты упаковки в пленках α-Ga2O3 на (0001) Al2O3. Исследуемые пленки толщиной до 1,3 мкм были выращены методом хлоридной эпитаксии (ХЭ). Начальный этап эпитаксии сопровождается образованием высокой плотности проникающих дислокаций (ПД) на уровне 1010 см–2. С помощью применения крите-рия невидимости g∙b = 0 при двухлучевых дифракционных условиях большинство ПД были определены как частичные 1/3 < 1\(\overline{1}\)00 > краевые и 1/3 < 1\(\overline{1}\)01 > дислокации смешанного типа. Краевая компонента была определена с помощью построения контура Бюргерса на изображениях высокого разрешения ядер дислокаций. Предполагается, что 1/3 < 1\(\overline{1}\)00 > частичные дислокации могут возникать в результате диссоциации 1/3 < 2\(\overline{1}\)\(\overline{1}\)0 > полных дислокаций, которая приводит к появлению призматических дефектов упаковки в пленке.