Электрические и оптоэлектронные свойства наноразмерных вертикальных нанолистов, изготовленных из дисульфида молибдена

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Аннотация:

В статье впервые представлены результаты исследования электрических и оптоэлектронных свойств вертикальных листов, изготовленных из дисульфида молибдена MoS2 (V-MoS2). Этим объектам свойственны большая удельная поверхность, открытые края, разумные значения подвижности носителей и высокий уровень поглощения света. Образцы со средним размером около 150 нм были выращены методом одностадийного ХОГФ при использовании металлорганических исходных соединений (MOCVD). Листы V-MoS2 изучены методами сканирующей электронной и рентгеновской фотоэлектронной микроскопии, рентгеновской дифракции и спектроскопии комбинационного светорассеяния. Получены вольтамперные характеристики образцов. Оптоэлектронные свойства V-MoS2 исследованы с помощью аргонового лазера (длина волны – 513 нм) с механическим модулятором света. Анализ полученных результатов позволяет утверждать, что изученные листы V-MoS2 следует рассматривать как весьма перспективный материал для нужд оптоэлектроники.